TSMC ha rivelato piani di investimento di oltre 500 miliardi di dollari taiwanesi (16 miliardi di dollari USA) per gli stabilimenti produttivi di Central Taiwan Science Park (CTSP) situati a Taichung, dove si trova inoltre la Fab 15, il terzo stabilimento di TSMC che si occupa della produzione di wafer di silicio a 12 pollici di diametro.
L'annuncio è successivo all'approvazione da parte dell'Environmental Protection Administration di Taiwan. L'investimento permetterà di sostenere un piano di espansione che potrà creare 5 mila posti di lavoro. Attualmente gli stabilimenti presso CTSP occupano circa 3400 persone. Lo scorso anno la Fab 15 ha raggiunto un valore di produzione complessivo di 200 miliardi di dollari taiwanesi, costituendo il 28% della produzione totale di TSMC per il 2014.
"Taichung è un sito dove TSMC è ben riconosciuto a Taiwan. E' una base importante dove vogliamo non solamente sviluppare tecnologie avanzate, dare seguito alla crescita di fatturato e raggiungere nuovi traguardi ma anche, in modo più importante, creare un'azienda green di classe mondiale" ha commentato C.C. Wei, Co-CEO di TSMC.
Il piano di espansione è funzionale all'esecuzione delle strategie produttive della fonderia taiwanese: TSMC sta infatti iniziando a lavorare allo sviluppo di un processo produttivo più avanzato a 10 nanometri, presso la Fab 12 di Hsinchu: quando questo nodo sarà adatto per la produzione in volumi, le linee produttive verranno gradualmente trasferite proprio alla Fab 15.
Intanto TSMC ha in programma il passaggio alla produzione in volumi con processo FinFET a 16nm nel terzo trimestre del 2015 che avverrà però presso lo stabilimento Fab 14 nella parte sud di Taiwan.
Il tape-out dei chip a 10 nanometri dovrebbe avvenire già entro la fine del 2015, con la produzione commerciale che prenderà il via tra la fine del 2016 e la prima parte del 2017. Per il 2015 TSMC prevede spese in conto capitale superiori a 10 miliardi di dollari USA, che saranno per lo più impiegati per lo sviluppo dei processi a 16 nanometri e a 10 nanometri.
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