Samsung Electronics ha annunciato giovedì l'inizio delle fasi di produzione in volumi dei primi chip LPDDR3 (low-power double data rate 3) da 6 gigabit, utilizzando un processo produttivo da 20 nm. Secondo la società, i nuovi chip garantiranno maggiori performance e un'autonomia superiore su tutti i dispositivi mobile dotati di display ad alta risoluzione.
I nuovi chip LPDDR3 da 6Gb di Samsung hanno una velocità di trasferimento per-pin di 2.133 Mbps. Utilizzando quattro chip all'interno dello stesso package sarà possibile integrare sui dispositivi mobile di prossima generazione un quantitativo di 3GB di RAM LPDDR3. Il package avrà dimensioni del 20% inferiori rispetto ai processi produttivi attuali, con un consumo energetico di circa il 10% più basso.
Non solo: con il nuovo processo Samsung è riuscita a migliorare l'efficienza produttiva dell 30%, caratteristica che potrebbe garantire anche un costo unitario inferiore alle società che si riforniranno dal colosso sudcoreano. Samsung non è nuova ai 20nm nelle memorie RAM: lo scorso marzo aveva annunciato la disponibilità di un chip da 4Gb DDR3 per sistemi PC, il primo nell'industria, e adesso espande le proprie competenze al più frizzante settore mobile.
La società fa sapere che le tecnologie produttive a 20nm verranno espanse ad ulteriori chip DRAM nel prossimo futuro, rivolti alle esigenze dei nuovi mercati, come quello degli indossabili, e di quelli più consolidati di smartphone e tablet. Le nuove tecnologie annunciate oggi potrebbero essere la base dei dispositivi di prossima generazione di Samsung ma, come al solito, verranno vendute anche a produttori terzi.
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Da Samsung in arrivo i primi chip DRAM LPDDR3 a 20nm da 6 Gb per mobile
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