Toshiba si sta preparando ad incrementare la capacità produttiva per le memorie NAND flash spostandosi inoltre sulla produzione di memorie NAND 3D con l'avvio, nel corso del mese di agosto, dei lavori di ampliamento della Fab 5 presso gli stabilimenti di Yokkaichi nella prefettura di Mie, in Giappone.
I lavori di costruzione della Fab 5 Phase 2 saranno completati nell'estate del 2014, con l'azienda giapponese che sottolinea di non aver ancora definito alcuna decisione per quanto riguarda l'investimento sui macchinari, che sarà presa in accordo con le tendenze del mercato. In altri termini Toshiba varierà l'ammontare del CapEx stanziato per il nuovo sito produttivo a seconda delle condizioni del mercato.
Lo scorso anno Toshiba aveva ridotto la produzione delle memorie NAND flash del 30%, sulla scia delle preoccupazioni per l'eccesso di offerta sul mercato e per la flessione dei prezzi dei chip. Nel giro di circa 6 settimane alcuni clienti hanno espresso qualche lamentela per via dell'impossibilità di disporre del sufficiente quantitativo di chip per le proprie esigenze. I prezzi per le memorie NAND, che sono stati in calo per diversi anni, hanno iniziato una ripresa nel 2013. Uno Yen più debole offre inoltre un vantaggio a Toshiba sui rivali come Samsung e SK Hynix in Corea del Sud.
La nuova area operativa della Fab 5 sarà costruita con particolare attenzione nel contenimento dell'impatto ambientale. Toshiba vuole mettere in campo sistemi di illuminazione basata su LED e metodi di produzione a risparmio energetico con recupero del calore con l'obiettivo di ridurre le emissioni di anidride carbonica del 13% rispetto alla Fab4 situata nello stesso sito di Yokkaichi.
Una volta installati i macchinari la Fab 5 Phase 2 sarà in grado di sostenere il processo produttivo BiCS (Bit-Cost Scalable) per le memorie 3D NAND. Sebbene questo tipo di tecnologia non sia ancora in produzione, Toshiba è una delle principali realtà a spingere verso la produzione delle memorie 3D NAND. Alla fine dello scorso anno Toshiba ha annunciato la possibilità di realizzare dispositivi da 16 strati basati su un canale verticale da 50 nanometri di diametro. I primi sample dovrebbero essere realizzati a partire dall'anno in corso, mentre la produzione in volumi è attesa per il 2015.
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